Ap시스템

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308 nm 파장대의 XeCl Excimer Laser는 자외선(UV) 영역에 속하며, 짧은 파장과 높은 에너지 밀도를 바탕으로 정밀한 표면 가공이 가능하다. 이 레이저를 Line Beam 형상(optical homogenizer를 통해 긴 직사각형 형태로 에너지를 균일화)로 만들어 활용하면, 대면적 기판에 대해 균일하고 반복성 높은 열처리 및 박리 공정 수행이 가능하다.

이 장비는 주로 ELA(Excimer Laser Annealing) 및 LLO(Laser Lift-Off) 공정에 사용되며, 각각 비정질 실리콘(a-Si)의 결정화와 사파이어 기판 위 GaN 박막의 분리를 위한 핵심 기술로 활용된다.
ELA 공정은 비정질 실리콘(a-Si) 박막에 308 nm 파장의 레이저를 조사하여, 짧은 시간 동안 국소적으로 용융시킨 후 재결정화시키는 공정이다. 이를 통해 다결정 실리콘(poly-Si) 박막을 형성할 수 있다.
이 공정은 특히 LTPS(Low-Temperature Poly-Si) TFT 제조에 필수적이며, 디스플레이 패널의 구동 소자 형성에 폭넓게 사용된다.
LLO 공정은 사파이어 기판 위에 성장된 GaN 박막을 레이저를 이용해 비접촉식으로 분리(Lift-Off) 하는 기술이다.
308 nm의 자외선 레이저는 GaN은 투과하지만, 사파이어와의 계면 근처에서 흡수되어 **계면 분해 반응(N₂ 발생 및 열적 분리)**을 일으킨다.