주식회사 원익아이피에스

없음

□ 2G(370 x 470mm) Dry Etcher 6각 ICP Type
1) 구성
-. Load Lock(1ea), Transfer Chamber(1ea), Process Chamber(3ea)
-. 식각 물질 SiO2, Mo, Ti, Al
-. 공정 대표 사용 Gas(SF6, Ar, O2, Cl 등)
-. 해당 공정(CNT, SD, Gate, Active, Ashing)

2) 공정 성능
-. Etching Rate
. a-Si > 1,000Å/min,
. Mo ≥ 1,500Å/min
. Al ≥ 4,000Å/min,
. SiNx ≥ 3,000Å/min
. SiOx ≥ 1,500Å/min
. PR Ashing ≥ 1,000Å/min
-. 기타 성능
. Uniformity < 10%
. Taper Angle ≤ 80˚

Dry Etch 공정은 반도체 제조 공정에서 매우 중요한 단계 중 하나로, 플라즈마(Plasma) 또는 화학 기체를 이용하여 웨이퍼 상의 원하는 부분만 정밀하게 식각하는 기술입니다. 이는 포토리소그래피 후 패턴이 형성된 레지스트를 마스크로 하여, 노출된 박막(금속, 산화막, 질화막 등)을 제거하는 데 사용됩니다.

Dry Etch 종류
1) 반응성 이온 식각 (RIE: Reactive Ion Etching)
-. 물리적 + 화학적 식각 혼합
-. 수직성(Anisotropy) 우수
-. 사용 가스: CF₄, CHF₃, SF₆ 등
-. 장점: 정밀한 패턴 구현 가능
2) ICP (Inductively Coupled Plasma) Etch
-. 고밀도 플라즈마 생성, RIE보다 높은 식각율 제공 립적인 RF 전원으로 이온 에너지/밀 도 독립적인 RF 전원으로 이온
에너지/밀도 제어
3) Ashing
-. 유기물(포토레지스트 등)을 O₂ 플라즈마로 제거
-. 열적/화학적 손상 없이 잔여물 제거 가능