원익IPS

없음

1. 저온 PECVD 기반의 a-Si, SiO₂, SiNx 박막 증착 기능 제공

: 대면적 기판(Gen.2)에 대한 균일한 박막 형성

2. RF Plasma 기반의 고밀도 박막 증착

_. 온도·압력·유량 제어를 통한 공정 Recipe 자동 운전 기능

_. 시편 두께 모니터링 및 증착 조건 재현성 확보

본 PECVD 장비는 TFT 소자 제작을 위한 핵심 박막 공정(a-Si, SiO₂, SiNx)을 저온에서 형성할 수 있도록 설계된 장비입니다.
13.56 MHz RF Plasma를 기반으로 하며, 챔버 내 온도·압력·가스 유량을 정밀하게 제어하여 높은 공정 반복성과 박막 균일도를 제공합니다.

SiH₄, NH₃, N₂O, Ar 등 TFT 공정에 필요한 주요 가스라인을 갖추고 있으며, Multi-step Recipe 구성 및 자동 운전 기능을 통해 공정 변동성을 최소화합니다.
또한 Load-lock 구조를 통해 챔버 오염을 감소시키고, 장비 유지보수 및 챔버 청정도 관리가 용이하도록 구성되어 있습니다.

해당 장비는 a-Si 활성층, SiO₂ 게이트 절연막, SiNx 패시베이션막 등 다양한 TFT용 박막 형성에 최적화되어 있어 디스플레이 및 반도체 연구·개발 환경에 적합합니다.