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장비정보

제작사
아바코
모델 명
LTPS SPT (5Process)

내용연수
12년
구분
주장비

용도
시험
표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2025-03-20

취득금액
3,245,000,000원
인증정보
없음
기능
1. 디스플레이 전공정 LTPS(Low Temperature Poly Silicon) TFT(Thin Film Transistor)의 Gate, S/D 배선 및 Anode 전극 막 증착 용도
2. 1번 내용 중 특히 Mo, ITO, Ag, Ti, Al 막 증착 목적임
3. CNT, 그래핀 등 차세대 저저항 배선 물질 증착 평가/검증용
장비 상세설명
장비의 구성
1. Sputter Process Chamber 5ea
2. Transfer Machine Chamber 1ea
3. Load Lock 1ea
4. Loader Robot 1ea
5. Cassette Housing 2ea

성능 및 규격
1) 핵심 요구 성능
◦ Glass Size : 370mm x 470mm x 0.4~0.7mm
◦ 공정 진행 전/후 Glass Damage 없음
◦ Layer 별 막 특성은 하기 [표1] 만족이 필수 적임
◦ 안전 인증 : CE Mark 혹은 S Mark
◦ 통신 : CIM 기반 상위 공장자동화시스템 Data 송·수신 필수
◦ 제어 : PC 혹은 PLC(PLC일 경우 MITSUBISHI社 적용)

2) Layer 막별 규격
Gate : Mo 300 nm
Active : AITZO 60 nm
SD : Mo 200 nm
Anode : ITO/Ag/ITO 100/850/100 nm

3) 본 장비 외 필수 부품
하기 부품의 5set를 공급
1) Backing plate 1ea
2) Cathode shield 1ea
3) Mask shield 1e
4) Platen Depo Shield 1ea
5) Susceptor 1ea
6) Susceptor Pin 20ea

이용안내

사용형태
기관의뢰 직접사용

설치형태
고정형
사용료 형태
건별

장비 사용료
[Hr] 222,580원

장비설명

스퍼터링은 집적회로 생산라인 공정에서 많이 쓰이는 진공 증착법의 일정으로 비교적 낮은 진공도에서 플라즈마를 이온화된 아르곤 등의 가스를 가속하여 타겟에 충돌시키고, 원자를 분출시켜 웨이퍼나 유리 같은 기판상에 막을 민드는 방법을 뜻한다.
스퍼터링 장비에서는 타겟쪽을 음극(Cathode)로 하고 기판쪽을 양극(Anode)로 한다.
스퍼터링 공정을 진행하는 장비를 스퍼터라고 한다.
디스플레이 전공정 LTPS(Low Temperature Poly Silicon) TFT(Thin Film Transistor)의 Gate, S/D 배선 및 Anode 전극 막 증착 용도로 사용되고, 특히 Mo, ITO, Ag, Ti, Al 막 증착 목적으로 사용한다. CNT, 그래핀 등 차세대 저저항 배선 물질 증착 평가/검증용으로 사용한다.

장비 구성 및 성능

<장비의 구성>
TFT 스퍼터는 프로세스 챔버 5개, 트랜스퍼 챔버 1개, 로드락 1개, 로더 로봇 1개, 카셋트 하우징 2개가 주공급 장치로 설치된다. 각각의 프로세스 챔버에는 캐소드 실드 1개, 마스크 실드 1개, 패턴 데포지션 실드 1개, 서스펙터 1개, 서스펙터 핀 20개가 함께 공급된다.
<하드웨어 사양 및 규격>
현장에서 평가할 글라스 사이즈는 370 x 470 mm 이고 공정 진행 전후로 글라스 데미지나 파손 현상이 없어야 한다.설비 안전 인증은 CE Mark 나 S Mark를 반드시 인증받아야 한다. 통신은 CIM 기반 상위 공장자동화시스템 데이터 송·수신이 필수적이다. 시스템의 제어는 PC 혹은 MITSUBISHI社의 PLC로 컨트롤한다. Layer 별 막 특성은 다음 조건이 필수적이다. Gate Layer는 Mo 타겟 기준 1600 (Å)의 두께를 형성해야 하고 ±5 이하의 균일도를 확보해야 한다. SD 단막은
Ti, Al 타겟 각각 1600, 6000 (Å)의 두께를 형성해야 하고 ±5 이하의 균일도를 확보해야 한다. SD 3중막은 Ti/Al/Ti 타겟으로 구성되고 250 (Å), 6000 (Å), 750 (Å)의 두께를 형성해야 하고 동일하게 ±5 이하의 균일도를 확보해야 한다. Anode 단막은 ITO, Ag 타겟 가각 500, 1000 (Å)의 두께를 형성해야 하고 ±5 이하의 균일도를 확보해야 한다. Anode 3중막은 ITO/Ag/ITO 타겟으로 구성되고 1000 (Å), 1000 (Å), 100 (Å)의 두께를 형성해야 하고 동일하게 ±5 이하의 균일도를 확보해야 한다.

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