대동하이텍
SPIRAL 6C
9년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2021-03-11
249,700,000원
기관의뢰
고정형
시간별
150,000원
RIE 장비와 달리 유도 코일로부터 유도된 자기장에 의해 플라즈마를 형성함. 매우 낮은 압력에서도 고밀도의 플라즈마를 띄며 바이어스를 걸어준 상태에서 가속시켜 건식 식각을 진행함. 시료와 플라즈마 간의 거리와 바이어스의 크기를 조절하여 표면손상을 완화한 상태로 식각을 진행할 수 있음. 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 식각 장비는 반도체 소자 공정의 반복적인 식각을 위해 필수적일 뿐만 아니라, 다양한 나노 구조 및 소자에도 빈번히 사용되는 장비로써, 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 식각 장비는 광소자 제작에 필수적임.
① 성능
. Process chamber base pressure : ≤ 7 x 10-7 Torr
(Within 4 Hours (After chamber vent))
. Process chamber pumping speed : ≤ 5 x 10-6 Torr
(Within 30 Min (After chamber vent))
. SiO2 Etching
Etch rate : ≥ 2,500Å/min
.Si3N4 Etching
Etch rate : ≥ 2,500Å/min
② 사양
. Process chamber & loadlock system
. Turbo pump & Dry or rotary pump
. Substrate size : 6 inch
.Process gas : Ar, O2, SF6, Cl2, BCl3,