(1) Process Chamber 1set: Base vacuum pressure 1.0E-7 torr 이하, 조각~6인치 웨이퍼 공정용
(2) Load Lock Chamber 1set: Robot Arm(정밀도 0.1mm이하, 1set) 포함, Base pressure 2E-3 torr 이하
(3) Turbo Molecular Pump 1set: 800L/sec 이상
(4) Low Vacuum Pump 1 set: Rotary Pump, 40m3/h이상
(5) Substrate Module 1set: 20rpm이상 Rotation, 100~600°C Heating, stroke 40mm이상 Z-motion
(6) Magnetron Cathode 3 set: 4인치 타겟, Co-Sputtering, Reactive Sputtering 대응 가능
(7) DC Power Supply 1set: 1kW이상
(8) RF Power Supply and Matching Unit 2 set: 600W이상
(9) Gas Delivery Unit: Ar, O2, N2 공급용, 1% at Full Scale 이하 정밀도
(10) System controller 1set: PC and PLC system, Auto Control by Recipe, 타겟별 교체시기, 펌프 점검 시기
포함 장비유지보수 시기 알림 기능, 비상시 OFF 가능한 원격제어기능 포함할 것
(11) Reactive Sputtering Process Controller with PEM Sensor: Oxide, Nitride 공정 제어, Hysteresis graph 제공
(12) Warranty: 1년 이상
(13) Deposition Uniformity: ±5%이내 (6인치 웨이퍼, Edge exclusion 1.5mm, 박막두께 200nm 기준)