(1) Process Chamber 1set: Ultimate Vacuum 1.0E-6 torr이하 (base pressure 형성용), 조각~6인치 웨이퍼용
(2) Load Lock Chamber 1set - Aluminum Chamber, NW25 Pumping Line, Valve 포함
- 추가 Process Chamber Docking 가능한 구조: 2PM(process module)이상, 1PM외 나머지 port는 Blank납품
(3) Robot Arm 1set: 정밀도 0.1mm 이하, Rotation and XY Motion 가능
(4) Low Vacuum Pump : Dry Pump, 40m3/h 이상, 부식성가스 사용가능
(5) High Vacuum Pump : TMP and Valve, 최대 진공도 1시간 이내에 도달
(6) Substrate Module 1set
- Substrate Heater: 100~1200°C with Quartz plate, Halogen lamp heating
- Temperature Uniformity: ±1%
- Heater는 공정에 의한 오염 및 파손이 발생 되지 않아야 함.
(7) Gas Delivery Unit: Ar, N2, O2, H2, NH3, 1% at Full Scale 이하 정밀도
(8) System controller 1set: 19”Rack panel Window type, PC & PLC system control, 터치패널
(9) Dimension: 1800mm x 1000mm x 2000mm 이하(Pump 포함)
(10) RTP: Ramp-up 속도 1000°C/min 이상
(11) RTO uniformity: 5nm±5%이내 (6인치 웨이퍼, Edge exclusion 1.5mm, HF세정한 p-type Si(100) 기준)