코리아바큠테크
KVT-EF001
11년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 퍼니스
2021-01-29
174,000,000원
기관의뢰 직접사용
고정형
건별
60,000원
급속가열웨이퍼열처리기는 램프에서 나오는 Radiation 에너지를 직접 시료에만 가열하므로 열처리량이 작아 공정에 미치는 주변환경의 제어가 용이하고 빠른 시간내에 아래와 같은 공정을 처리할 수 있다.
a. General RTA (Rapid Thermal Annealing).
b. Heat Treatment(Ion Implant Annealing, MOCVD Annealing)
c. Compound Semiconductor Annealing
d. Contact Annealing
e. Crystallization and Densification
(1)Hardware Qual.
-.Wafer Temperature monitoring using T/C
Normal operating on the basis of feature uniformity and repeatibility over 10 times of process in 6 inch chamber @(operating pressure: 1 Torr~ 100 Torr operating temperature: 300 ℃ ~ 1000 ℃ operating time: 60 S)
-.Temperature control fluctuation : ≤ ± 5 ℃
-.Temperature uniformity in 6 inch wafer : ≤ ± 5 ℃
-.Temperature repeatability:≤ ± 5 ℃
2.Process Qual.
-.Qualifying test progress on the basis of feature repeatibility over 10 times in 6 inch wafers on the base of feature.
(ISRC Rs (P-type) ≤ ± 5 % in wafer ISRC Rs (P-type) ≤ ± 5 % in wafer to wafer @(operating pressure: 10 Torr operating temperature: 1000 ℃)