CN1
없음
12년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 원자층증착장비
2021-03-25
316,595,640원
기관의뢰 직접사용
고정형
건별
100,000원
1. 장비의 개요
본 장비는 Thermal & Plasma 기법을 이용하여 Thin-film 박막 형성(Al2O3, HfO, TiN) 후 High-k 소자 개발 장비로서 반도체 소자 성능 향상 및 집적도를 높이기 위해서 Thin-film의 두께를 원자 층 단위로 제어하며 성장시키는 장비이다.
2. 장비의 특징
본 장비는 금속 유기물 또는 무기물을 이용하여 일정한 온도 및 압력 하에서 고순도 박막 형성이 가능하고, 기판의 손상과 오염을 최소화하여 안정적인 공정서비스를 구축할 수 있으며, 챔버 및 웨이퍼(샘플) 이송장치를 개별 구성하여 제약 없이 2가지 공정을 진행 할 수 있다.
(1) PEALD: 금속 박막(Metal films) 증착(TiN, etc.)
(2) Thermal ALD: 유전 박막(Dielectric film) 증착(Al2O3, HfO2, etc.)
3. 장비의 개략적 구성 및 특성
본 장비는 금속 유기물 또는 무기물을 이용하여 일정한 온도 및 압력하에서 주입/배기의 순차적인 반복에 의해 웨이퍼 표면 위에 한 층 또는 그 이상의 박막을 원자 층(Atomic Layer) 단위로 제어하며 성장 가능하며, 연구소 시설 내 설치 및 활용에 적합하며, 대학 내 · 외부 및 기업체의 다양한 공정의뢰(또는 직접사용)를 수행하는 연구소 규모에 적합한 장비이다.
1. (공통) 제어모듈(Main Control Module)
1.1 제어사양
1.1.1 Control Type : PC Base
2. Process Module #1 & Gas Box
2.1 6“ Showerhead Type PEALD Chamber
2.2 RF Generator Kit 1 Set
2.2.1 Frequency & Power : 13.56MHz, 600W
2.2.2 Automatic Matching System
2.3 Max Process Temperature : 500℃, 기판 온도 균일도 3% 이내(9 points)
2.4 Chamber Wall Temperature : 150℃
2.5 Source Delivery : 4 Sets
2.5.1 Canister 용량 : 200cc
2.5.2 Canister 온도 : Room Temp type 40~50℃, Bubbling type 30~150℃
2.5.3 Canister 종류 : Room Temp type 1개, Bubbling type 3개
2.6 사용 가스(Gas) 및 MFC
2.6.1 공정용 가스(Process gas) : NH3, PN2
- NH3(Reactant) : 500sccm
- PN2(Carrier/purge): 500/1,000sccm
- Chamber purge and vent gas: PN2
2.6.2 Line 물질 : SUS316L(EP)
2.6.3 Line 온도 : Heating bend(무석면 heater 사용)나 block, 또는 PID 제어 유닛을 사용하여 최대 150℃
2.6.4 예비 가스 라인(Spare gas line)을 위한 공간 및 blank(Port)
2.7 Pressure Control by Throttle Valve
2.8 배기 모듈 : 핫 트랩(Hot trap) 최대 450℃까지 가열하여 부산물들을 열분해 시킴
3. Process Module #2 & Gas Box
3.1 6“ Traveling Wave Type Thermal ALD Chamber
3.2 Max Process Temperature : 450℃, 기판 온도 균일도 3% 이내(9 points)
3.3 Chamber Wall Temperature : 150℃
3.4 Source Delivery : 4 Sets
3.4.1 Canister 용량 : 200cc
3.4.2 Canister 온도 : Room Temp type 40~50℃, Bubbling type 30~150℃
3.4.3 Canister 종류 : Room Temp type 1개, Bubbling type 3개
3.5 사용 가스(Gas) 및 MFC
3.5.1 공정용 가스(Process gas) : PN2
- PN2(Carrier/purge): 500/1,000 sccm
- Chamber purge and vent gas: PN2
3.5.2 Line 물질 : SUS316L(EP)
3.5.3 Line 온도 : Heating bend(무석면 heater 사용)나 block, 또는 PID 제어 유닛을 사용하여 최대 150℃
3.6 배기 모듈 : 핫 트랩(Hot trap) 최대 450℃까지 가열하여 부산물들을 열분해 시킴
4.(공통) Loadlock Module
4.1 Wafer Handling : Automatic (Un)Loading Type 그리고 수동 로딩(Manual loading) 가능
4.2 Vacuum Gauge : Convectron Gauge, ATM S/W
4.3 Isolation : Pneumatic Gate Valve 적용
4.4 Rotary Pump 600 L/min 적용(Outlet : Oil mist Trap 적용)
5. Process Pump
5.1 진공 펌프(Vacuum pump)
5.1.1 펌프의 종류: 드라이 펌프(Dry pump)
5.1.2 펌핑 속도(Pumping speed): >1,500L/min
5.1.3 기저 압력(Base pressure): <20mTorr
5.1.4 Vent: Auto purge 그리고 vent line