소로나
PEH-600
12년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 플라즈마기상화학증착장비
2021-03-05
339,871,200원
기관의뢰 직접사용
고정형
건별
100,000원
1. 장비의 개요
본 장비는 플라즈마를 이용한 반도체 절연막 형성을 위한 장비로 낮은 온도 및 저압에서도 높은 RF전력을 사용하여 박막을 안정적으로 증착할 수 있으며, 구조가 간단하여 유지보수 용이한 장비
2. 장비의 특징
본 장비는 다기능(초고속/고출력/저전력)디바이스 & 센서 제작 용도이며, 챔버 내 플라즈마를 형성하여 Oxide/Nitride 박막 증착 가능하고, 반도체 공정 진행에서 절연체 박막 형성하기 위한 필수 장비로 확산로에서 형성하는 절연체 박막보다 상대적으로 낮은 온도와 공정 시간을 단축하기 위해서는 필요한 공정 작업이며, 공정의 효율성을 높여 줌
3. 장비의 개략적 구성 및 특성
본 장비는 PECVD 프로세스 챔버, 로두록 챔버 가스 인가 시스템, 리모트 플라즈마 소스, 압력제어, LF, RF 파워인가 시스템 그리고 펌핑 유닛으로 구성
1. 주 컨트롤 모듈
1.2 제어사양
1.1.1 제어유형: PC 베이스
2. PECVD Reactor(프로세스 챔버):
2.1 케소드와 에노드는 모든 알루미늄 단일블록으로 구성
2.2 상단전극: 0.6KW,13.56MHz 자동정합장치로 구성
2.3 상단전극: 0.6KW,380~400khz 자동정합장치로 구성
2.4 챔버 클리닝용: 리모트 플라즈마 소스 7.0KW 400KHz 파워서플라이로 구성
2.5 하부전극(150mm): 상온에서 400°C 온도 제어가 가능한 저항성 히터로 구성
2.6 챔버벽의 온도를 제어할 수 있음
2.7 프로세스 챔버의 배기는 컨덕턴스가 높은 ISO-60진공 메니폴드로 구성되어야 함
2.8 프로세스 챔버는 루트 블로워 패키지형 드라이 펌프 사용 (560M3/H이상)
2.9 기준압력(Base pressure): 5 x 10-3 torr 이상
3. 진공 로드락:
3.1 진공을 깨지않고 로드락과 프로세스 챔버사이에서 웨이퍼를 이송
4. 가스 전달 박스
4.1 MFC(SiH4/N2O/NH3/He/N2/O2/Ar)로 구성
5. RF Generator & auto match network
5.1 시스템은 0.6KW,380~400KHz,0.6KW,13.56MHz 솔리드 스테이트 RF제너레이터와 7.0KW,400KHz MF 제너레이터로 구성
6. 펌핑 시스템
6.1 프로세스 챔버: 루트블로워 패키지형 드라이 펌프(560m3/H 이상)