모만
IC-10
12년
주장비
기타
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 원자층증착장비
2020-12-29
76,952,650원
직접사용
고정형
기타
120,000원
- 본 장비는 저온 및 진공 상태에서 반도체 웨이퍼에 특수한 프리커서(Precursor)와 반응용 가스를
반복적으로 주입하면서 원자층 수준의 정밀도로 증착 함.
- 보통 저온에서 하나의 원자층 수준으로 제어하면서 증착하므로 반도체 전공정 및 후공정에
모두에 있어 단차가 큰 구조의 피복 충진 및 균일도에 최고 성능을 제공함.
• Process Chamber
-6“ Flow-type Two Chamber(ф250 х 200H)
-Upper door/Sealing type/Pumpling port: Manual/Viton/KF25
-He leak rate: 5.0 х 10-9 Torr l/s
• Stage & Heater
-6“ wafer substrate
-Heater: Al (Max. 400℃), K type TC_2EA
-Power & Temperature feed through
• Vacuum System
-Rotary pump(2): 600 L/m (220V, 3P)
-Angle valve KF40 & Vacuum line vent valve
-Vacuum pipe & gauge : Baratron, Pirani
-ATM switch & vacuum valve
• Gas System
-1/4 Diaphram valve (120 ℃) & 1/4 Sus line (120 ℃)
-Source canister 2EA, H2O canister
-Needle valve, Metering valve, Manual valve
-Heating tape & Thermo couple
• Control System
-NI input/output card (32Ch input DAQ)
-Terminal block, Cable 2M_2EA
-RS232C/Analogue card
-Temperature control module