Suzhou Maxwell Automation Equipment Co. Ltd
MX-XDL-SE
11년
주장비
시험
광학·전자 영상장비 > 광파발생/측정장비 > 레이저발생장비
2021-02-02
261,813,259원
기관의뢰
고정형
시간별
360,000원
본 장비는 실리콘 태양전지 제조공정 중 전면 도핑 공정 후 생성된 phosphorus silicate glass를 레이저로 조사하여 선택적으로 도핑할 수 있게 하는 장치임. 레이저를 이용하여 미세패턴으로 선택적 에미터를 형성할 수있는 장치임.
- Laser source & system specification
● Wavelength : 532nm and 1064nm
● Laser power : up to 35W
● Laser pulse width : 15ns ~ 200ns
● Frequency : 100-500kHz
● Marking point size/shape : 1mm/ ○/+
● Spot size : 80 – 130 ㎛ ± 5㎛
● Spot shape : square spot
● Spot accuracy : 5㎛
● Spot uniformity : <±10㎛@100㎛ spot size in wafer area, <±5㎛@100㎛ spot size in line to line
● Focus depth : 0.3 mm @ 1064 nm, 0.4mm @ 532 nm
● Scanner speed: up to 20m/s
● Scanner alignment accuracy : ±10㎛
● Scanner accuracy repeatability : ±5㎛
- SE sheet resistance by laser: 60Ω/□ @ Rsheet before SE process 120 Ω/□
- Wafer specification
● Size(quasi-square solar type): M2(156.75 mm x 156.75 mm) - M6(166 mm x 166 mm)
● wafer thickness: 0.15mm ~ 0.22mm
- Loader/unloader system