SPM
MPA-600FA
9년
주장비
기타
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 리소그래픽장비
2020-12-16
234,000,000원
기관의뢰
고정형
시간별
35,000원
- 포토레지스트(photo-resist)의 특정 파장대의 빛을 받으면 반응하는 특성을 이용하여 웨이퍼에 포토레지스트 패턴을 형성
- 노출하는 광원을 광학계를 이용하여 프로젝션 타입을 적용하여 포토 마스크와 웨이퍼에 코팅된 포토레지스트의 접촉 없이 패턴을 형성 가능
- 노광의 프로젝션 타입의 높은 해상력과 높은 수율로 준양산용 반도체 공정 가능
주요사양
- Resolution (해상력) : ≦ ± 2.0 μm
- Depth of focus (초점심도) : ≦ ± 8.0 μm
- Astigmatism (난시) : ≦ 2.0 μm
- Focus : ≦ 2.0 μm
- Uneven Focus : ≦ 2.0 μm
- UV 광원 intensity : ≧ 500 mW/cm2
- UV 광원 uniformity : ≦ ± 3%
- Prealignment accuracy (가정렬 정밀도) : ≦ 100 μm
- Scanning accuracy (스캔 정밀도) : ≦ ± 2%