KRATOS Analytical
XPS Model Axis-Supra
5년
주장비
분석
화합물 전처리·분석장비 > 분광분석장비 > X-선광전자분광기
2020-08-25
611,678,570원
없음
XPS는 X-선에 의하여 여기된 광전자를 이용하여 4~20층의 원자 혹은 분자층에 해당하는 1~5nm 깊이의 시료 극표면에 관한 정보를 얻을 수 있는 장비
- XPS는 X-선에 의하여 여기된 광전자를 이용하여 4~20층의 원자 혹은 분자층에 해당하는 1~5nm 깊이의 시료 극표면에 관한 정보를 얻을 수 있는 장비로서 표면의 원소 구성비(elemental composition)와 각 원소의 화학결합상태(chemical state)를 분석하는 용도로 주로 사용되고 있음.
- 전자빔을 이용한 Auger 전자 분석 기능으로 고체 시료 극표면의 국소 영역을 분석할 수 있며, 주사전자현미경을 결합한 주사오제전자현미경(Scanning Electron Micorscopy)이 가능하여 극표면의 원소 및 화학적 결합 분포상 분석이 가능함
기관의뢰
고정형
건별
120,000원
- XPS는 X-선에 의하여 여기된 광전자를 이용하여 4~20층의 원자 혹은 분자층에 해당하는 1~5nm 깊이의 시료 극표면에 관한 정보를 얻을 수 있는 장비로서 표면의 원소 구성비(elemental composition)와 각 원소의 화학결합상태(chemical state)를 분석하는 용도로 주로 사용되고 있음.
- 전자빔을 이용한 Auger 전자 분석 기능으로 고체 시료 극표면의 국소 영역을 분석할 수 있며, 주사전자현미경을 결합한 주사오제전자현미경(Scanning Electron Micorscopy)이 가능하여 극표면의 원소 및 화학적 결합 분포상 분석이 가능함
○ 감도(sensitivity) 및 분해능(resolution)
- >400,000 cps at <0.48eV(Ag 3d5/2 peak, 700×300㎛)
- 이미지 분해능(parallel imaging resolution) ≤1㎛
○ AES(Auger Electron Spectroscopy)
- Schottky field emission electrostatic electron gun : 10kV, 3kV
- Sensitivity : >500,000 cps with 500:1 signal to noise
- SEM resolution : <100 nm @ 10 kV and 5 nA sample current
<300 nm @ 3 kV and 5 nA sample current
- Reflection energy loss spectroscopy(REELS)