삼한박막진공
SHS-2M3-400T
10년
주장비
교육
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터
2020-05-01
101,860,000원
기관의뢰
고정형
건별
60,000원
본 장치는 CHAMBER와 VACUUM SYSTEM, CONTROL PART 로 구성
. D.C및 R.F power SPUTTER
. UP SPUTTER 방식으로 4-6인치급 웨이퍼상의 박막 증착공정이 가능한 진공 시스템으로, 3개의 스퍼터건 구비로 3개의 타겟을 동시에 이용하는 co-sputtering mode로 다성분계 박막 합성 가능 혹은 순차별 증착(sequential deposition)을 통한 다층막 형성 가능
. 터치 조작을 통한 운전, 레시피를 이용한 전자동 혹은 반자동 운전
. O2 및 N2 GAS에 의한 REACTIVE SPUTTER 가능
CHAMBER
. chamber body: (재질)SUS304,
. CHAMBER ULTIMATE PRESSURE<2 x 10-8 TORR
. DIMENSION : 580×350h<∅
. VIEW PORT : 6“ 0D CONFLATE FLANGE
SUBSTRATE HOLDER
. ROTATION ENABLE (MOTOR DRIVE) MAX 30 RPM
. 표준 SUBSTRATE : ∅ 4 ~ 6 INCH
. SUBSTRATE HEATING : MAX 400C
. RF BIAS 500W & MATCHING NETWORK