소로나
SRN 130
10년
주장비
분석
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터
2020-05-20
625,000,000원
기관의뢰
고정형
건별
90,000원
1. 본 장비는 Ar, N2, O2 플라즈마를 이용하여 기판상에 금속, 산화물 및 질화 막을 고종횡비의 미세패턴에 균일하게 증착이 가능해야 함.
2. 조각 시편부터 8인치까지의 실리콘 기판이 로딩 가능해야 하며, 다양한 금속이나 산화막, 질화 막을 연속적으로 증착이 가능한 process chamber의 구성과 웨이퍼를 10매 이상 자동으로 로딩/언로딩 할 수 있는 vacuum cassette loadlock chamber와 transfer chamber로 구성하여야 함.
3. Process chamber는 10인치 이상 크기의 target을 시편과 direct faced로 사용하여야 하고 3종류의 공정이 가능한 독립적인 DC 마그네트론 스퍼터링, RF 마그네트론 스퍼터링, Reactive 마그네트론 스퍼터링 시스템으로 구성하여 3개의 물질을 순차적으로 증착이 가능해야 함.
4. 캐소드는 각각 3식을 별도로 구성하고 회전하는 자석을 적용하여 target의 효율을 최대화하여야 하며, target에서 파티클이 발생하지 않도록 구성되어야 함.
5. 기판은 증착 전 RF pre-cleaning이 가능해야 하며, 각각의 스테이지는 히터를 개별 적용하여 400도 이상 기판 가열이 가능해야 하고 공정중 온도 제어가 가능해야 함.
6. 3개의 독립된 스퍼터링 module 중 1개는 target과 기판이 수직으로 마주한 DC 스퍼터링을 통해 단차 피복성이 우수한 특성을 가져야 함.
7. 3개의 독립된 스퍼터링 module 중 1개는 target과 기판이 수직으로 마주한 RF 스퍼터링을 통해 균일한 산회물 증착이 가능하도록 구성되어야 함.
8. 3개의 독립된 스퍼터링 module 중 1개는 target과 기판이 수직으로 마주한 DC reactive 스퍼터링을 통해 금속 산화물의 증착이 가능해야 함.
9. 장비 활용성 제고를 위해 3개의 독립된 캐소드가 구성된 Sputter 공정 chamber의 확장이 가능해야 하며 transfer chamber에 확장 가능한 port를 구성하여, sputter chamber 추가시 장애가 없어야 함.
10. Process Chamber는 최저 진공도가 5×10-7Torr (12시간 이내)에 도달하여야 함.
11. Transfer Chamber는 최저 진공도가 2×10-6Torr (12시간 이내)에 도달하여야 함.
12. Loadlock Chamber는 대기노출 후 진공도가 5×10-3Torr (10분 이내)에 도달하여야 함.
13. PC를 사용하여 자동 또는 수동 조작이 용이하여야 하며 상황별 안전장치가 반드시 적용되어야 함.
14. 본체 및 구성품(부품포함)은 중고품을 사용할 수 없고 반드시 신품을 사용하여야 함.
15. 장비 설치를 위한 유틸리티(가스, 전기, 배기, 냉각수 등) 구성이 포함되어야 함.
1. Process chamber module
(1) Process chamber
- 기판 크기: 8인치, 6인치 실리콘 웨이퍼와 4인치, 2인치, 조각 실리콘 웨이퍼
- chamber 재질: Electro-polished SUS
- Wafer loading/unloading : Automatic transfer operation
- Port : View port(with shutter), gauge, gas injection port, loadlock port
(2) Pre-cleaning chuck(1set)
- 기판 RF Pre-cleaning (600W, automatic RF matching network)
(3) Heating chuck(기판 가열) : 3 set, Max 400 ℃
(4) 스퍼터링 Cathode #1
- Sputtering Method: Sputter down
- Cathode : Rotation magnetron direct faced cathode
- Target 크기: 10 인치 이상
- Reactive sputter용 Pulsed DC 15Kw 이상 1set (적용 모델 제안서에 표기할 것)
- 증착물질: 금속 Al, Cr 등
(5) 스퍼터링 Cathode #2
- Sputtering Method: Sputter down
- Cathode : Rotation magnetron direct faced cathode
- Target 크기: 10 인치 이상
- HSC Sputtering용 DC 15Kw 이상 1set (적용 모델 제안서에 표기할 것)
- Bias용 RF 600 W 이상 1 set, automatic RF matching network
- 증착물질: 금속 Ti/TiN
(6) 스퍼터링 Cathode #3
- Sputtering Method: Sputter down
- Cathode : Rotation magnetron direct faced cathode
- Target height variable 가능하여야 함
- Target 크기: 10 인치 이상
- Sputtering용 RF 2Kw 이상 1 set (적용 모델 제안서에 표기할 것)
- 증착물질: SiO2/ZnO
(7) 진공펌프 (적용 모델 제안서에 표기할 것)
- High vacuum pump : Turbo pump ISO200, 1000 l/sec (N2) 또는 동급 이상
- Low vacuum pump: Dry pump, 120 m3/hr 또는 동급 이상
- Chamber pressure : ≤ 5×10-7 Torr within 12 hours after vacuum break
≤ 5×10-6 Torr within 30 min after vacuum break
(8) 진공압력 게이지 (적용 모델 제안서에 표기할 것)
- High vacuum gauge : Full range gauge
- Low vacuum gauge : Pirani gauge
- Pressure control range : 1 ~ 100 mTorr
(9) Vacuum valve & line
- High vacuum valve
- Foreline valve : Pneumatic type angle valve
- Roughing line valve : Pneumatic type angle valve
- Auto vent line
(10) MFC (적용 모델 제안서에 표기할 것)
- 3 set (Ar: 200 sccm, N2: 50 sccm, O2: 50 sccm)
2. Transfer chamber module
(1) 8인치, 6인치 및 4인치, 조각 웨이퍼 호환 가능한 automatic transfer robot
(2) Vacuum Robot (적용 모델 사양 표기 및 자체 제작품일 경우 구체적인 사양 표기)
- 분해능 : R축 : 50 um 이하 / θ축 : 0.022 degree 이하 / Z축 : 13 um 이하
- 반송 정밀도 : ± 0.15 mm 이내
- 반송 최고 속도 : R축 : 500 mm/sec, θ축 : 160 degree/sec, Z축 : 85 mm/sec
(3) 진공펌프 (적용 모델 제안서에 표기할 것)
- High vacuum pump: Cryo pump ISO150, 1500 l/sec (N2) 또는 동급 이상
- Low vacuum pump: Dry pump, 120 m3/hr 또는 동급 이상
- Chamber pressure : ≤ 2×10-6 Torr within 12 hours after vacuum break
≤ 5×10-6 Torr within 30 min after vacuum break
(4) 진공압력 게이지 (적용 모델 제안서에 표기할 것)
- High vacuum gauge : Full range gauge
- Low vacuum gauge : Pirani gauge
(5) Vacuum valve & line
- High vacuum valve
- Foreline valve : Pneumatic type angle valve
- Roughing line valve : Pneumatic type angle valve
- Auto vent line
3. Vacuum cassette elevation chamber module
(1) 8인치, 6인치 metal cassette(10 slot) 및 4“ 및 조각 웨이퍼 호환 지그
(2) Wafer position auto-mapping
(3) Automatic transfer operation
(4) 진공펌프 (적용 모델 제안서에 표기할 것)
- Low vacuum pump: Dry pump, 120 m³/hr 또는 동급 이상
- Chamber pressure : ≤ 2×10-3 Torr within 20 hours after vacuum break
≤ 5×10-3 Torr within 10 min after vacuum break
(5) 진공압력 게이지 (적용 모델 제안서에 표기할 것) :
- Low vacuum gauge : Pirani gauge
(6) Vacuum valve & line
- Fore line valve : Pneumatic type angle valve
- Roughing line valve : Pneumatic type angle valve
- Auto vent line
4. System control module
(1) Automatic/Manual process control by PC, 19“ LCD Monitor
(2) User Level: Login 하는 User의 Level에 따라 액세스 가능한 화면에 제한을 두어
허용받지 않은 사용자가 시스템 Operation 하는 것을 방지해야 함.
(3) Alarm Information: 모든 Alarm에 대해 발생 시점 및 수행된 Recovery Action
등을 저장하여 추후 분석 자료로 사용할 수 있어야 함.
(4) History Log: 시스템 운영 중에 발생 되는 Event, Process data log들을 Logging 하여 문제 발생 시 또는 공정 분석 자료로 사용할 수 있어야 함.
(5) System Operation: Provide full-automation and semi-automation
(6) System Parameter Save: Save system parameters and provide reset function
(7) Interlock: System manual operation 동작 시에 위험 상황을 방지할 수 있어야 함.
(8) System Level Operation: 시스템 레벨에 따라 Cassette 단위로 Process 진행,
Slot별 다른 Recipe 적용 가능, 동작 중 Pause/Abort/Resume 가능, Semi-Auto
wafer transfer 가능, Independent Chamber Control 가능이 구분되어야 함
(9) Process Recipe: 다수의 Recipe가 존재 가능하고 Recipe의 Copy, Delete, Rename
등의 기능이 가능해야 함.
- Step Recipe는 각 System Parameter에 있는 Sequence 및 Time을 포함하고 있어야 함.
(10) Display Wafer Status: Operation 진행 중 Wafer Status를 Color로 표시해야 함.
- Unknown, Present, Absent, Processing, Processed, Alarmed wafer 등의 Wafer상태
(11) 안전장치
- System Software & Hardware Interlock for Safety
- Audio Noise: ≤70dB
- Electrical Over Current Protection
- Emergency Shutdown
- Mechanical Crush Interlock