(주)셀코스
없음
5년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2020-06-24
1,970,000,000원
기관의뢰
고정형
건별
150,000원
370⨉470mm2 2세대 기판 상에 metal evaporation/sputter 공정으로 수 nm ~ 1um 두께의 양질의 금속 박막 및 투명전극을 생성. 기판크기 2세대 급의 OLED 조명용 광원 제작을 위한 설비로서 cluster type에 robot와 2개의 chamber (Evaporator/Sputter)로 구성되어 다양한 물질 테스트 및 시생산 가능
○ General Specifications
○ Vacuum Performance
○ Loadlock Chamber
- Ultimate pressure : Less than 5.0 x 10-3 Torr
- Base pressure : 5.0 x 10-2 Torr within 30 minutes
○ Transfer Chamber
- Ultimate pressure : Less than 5.0 x 10-7 Torr
- Base pressure : 5.0 x 10-6 Torr within 1 hour
○ Anode Deposition Chamber (Sputter)
- Ultimate pressure : Less than 5.0 x 10-7 Torr
- Base pressure : 5.0 x 10-6 Torr within 1 hour
○ Cathode Deposition Chamber (Evaporator)
- Ultimate pressure : Less than 5.0 x 10-7 Torr
- Base pressure : 5.0 x 10-6 Torr within 1 hour
○ Substrate to Mask Alignment
- Mechanical alignment (Anode/Cathode Deposition Chamber 동일), Alignment accuracy : ≤± 150㎛
○ Deposition Source unit
- Anode : Sputtering Cathode (Moving Type), 2SET
- Cathode : Effusion cell (High temperature Cell : RT ~1500℃), 2SET
Thermal BN boat, 1SET
○ Substrate handling
- Vacuum Transfer Unit (single arm : 3-axis)
○ Cassette
- Loadlock Chamber: Glass 6ea, Mask 4ea (10 slot)
○ Substrate Heating
- Heater Type : Sheath Heater
- Heat Temp : Max. 250℃ @Substrate
- Temp. Uniformity : ≤ ± 5% @200℃