FEI
Helios G4
11년
주장비
분석
물리적 측정장비 > 표면특성측정장비 > 표면거칠기/미세구조측정장비
2020-07-09
1,351,331,590원
기관의뢰
고정형
시간별
137,980원
- 제논(Xe) 플라즈마를 사용하여 대면적 단면분석(100um~1mm) 및 대면적 회로수정이 가능함
- Ion-Beam Current(Max 2uA)가 ‘갈륨(Ga) 듀얼 집속이온빔시스템 (Max 65nA)’보다 높아 분석
시간이 20~50배 빨라 시료의 손상이 적으며, 대면적 및 적층구조 분석이 우수함
○ Plasma FIB Ion Beam
- Ion Gun Type : Xenon Gas based plasma
- Ion Beam Energy : 3kV to 30kV
- Probe current : Min 1pA -Max 2uA
- Resolution : < 25nm @ 30kV
○ SEM Electron
- Electron Gun Type : Schottky Field Emitter
- Electron Beam Energy : 200V to 30kV
- Beam Current : 2pA - 100nA
- Resolution : <0.7nm at 15kV
○ Detectors
- SE detector
- BSE detector
- Lower Energy BSE Detector
○ Stage
- X, Y : 110mm over
- Z : 65mm over
- T : - 15° to + 90° over
- R : n x 360° (endless)
- Maximum Sample Weight : 2kg over
○ Chamber
- Chamber inner size 340mm(W)×315mm(D)×320mm(H) or Wider
- 20 ports or higher
○ Nano Manipulation System
- Software Control Integrated into the Dual Beam User Interface
- Motorized 360º Control of Needle Rotation
○ EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) Function