스미토모
SWA-20US-M
10년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 열처리장치
2019-12-23
958,520,000원
기관의뢰 직접사용
고정형
건별
1,000,000원
SiC 기판과 접촉 저항을 감소하기 위하여 얇은 웨이퍼에 금속을 증착한 후 금속과 SiC 계면에 레이저를 조사하여 금속과 SiC 웨이퍼와의 오믹접촉형성으로 정상적인 저항성 접촉을 형성하고자 한다. SiC wafer의 전면부 공정이 진행된 이후에 후면 공정이 진행되므로 전면의 미세패턴에 열적인 영향을 최소화하기 위하여 SiC wafer와 금속계면에 선택적으로 레이저를 조사하기 위한 장비임
o Wafer 관련
- Wafer Size: 150mm SiC(투명)
- Wafer Thickness: 150㎛
- Loading / Unloading: Automation & Manual
o System 관련
- Laser Wave length : 355nm:
- Stage : X,Y,Z 3 axis
- Frequency : 10-70 KHz
o Process 관련
- Laser waver length : 355nm
- Process Temperature: Room temperature
- Process Atmosphere :Air/N2/Ar
- 가공 Energy: >2 / cm2
- Power stability < 2%(1sigma)