(주)제이하라
JCCP-2000
12년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 플라즈마기상화학증착장비
2019-12-26
335,000,000원
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
145,000원
본 장비는 고온의 열(300~400℃)과 화학가스를 이용 챔버내 화학적 반응을
일으켜 플라즈마를 이용하여 SiO2, SiNx 물질을 생성, 웨이퍼에 증착하는 장비
로서 다음과 같은 항목이 가능해야 한다.
1) 프로세스챔버(메인챔버) 300~400℃ 히터 온도 제어
2) 트랜스퍼 모듈 및 공정진행 매뉴얼 및 자동 제어
- 자동제어범위 : 로드락에 트레이를 장착후 동작버튼을 누르면 펌핑, 로딩,
레시피작동, 언로딩이 가능해야 함
3) 공정가스(NH3, N2, SiH4, N2O, He, SF6) 유량 제어
4) CVD방법을 이용한 SiO2, SiNx 증착
- (좌)메인챔버는 SiO2증착, (중앙)로드락챔버, (우)메인챔버는 SiNx증착
5) RF제너레이터와 매칭박스 탑재
○ 적용가능 기판크기 : 2인치 ~ 8인치
○ SiO2증착(8인치 웨이퍼 기준)
- 균일도(Uniformity) : 2% 이내
- 증착률(Deposition rate) : > 150Å/min
○ SiNx증착(8인치 웨이퍼 기준)
- 균일도(Uniformity) : 2% 이내
- 증착률(Deposition rate) : > 80Å/min
○ MFC유닛
- SiH4 : full range(1,000sccm) → 라인 히팅선 장착
- N2O : full range(1,000sccm) → 라인 히팅선 장착
- NH3 : full range(20sccm) → 라인 히팅선 장착
- N2 : full range(1,000sccm)
- SF6 : full range(200sccm)