HITACHI
IM4000 plus
11년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 절삭장비 > 달리 분류되지 않는 절삭장비
2019-11-14
123,328,770원
기관의뢰
고정형
건별
50,000원
본 장비는 Ion beam을 이용하여 박막 시편을 절단하는 장비로, 일반적인 microtome 등의 물리적 표면가공을 이용해서 절삭했을 때 발생하는 파단면의 중첩현상을 최소화시켜, nano단위의 layer 를 관찰하는 PCB, film sample 이나 여러 물질이 융합된 금속재료 및 신소재 sample의 깨끗한 파단면의 Image 관찰을 위해 개발된 장비.
1. Gun unit
- Accelerating voltage : 0 to 6㎸
- Discharge Voltage : 0 to 1.5kV
- Discharge current : 0 to 560㎂
- Ion beam diameter : about 500㎛
- Milling rate : 500㎛/hr on Si
2. Cross Section Stage
- X movement : ±7㎜
- Y movement : 0~3㎜
- Sample rotation : ±3˚
- Swing angle : ±15˚, ±30˚, ±40˚
- Sample swing spped : OFF + 1 speed
- Max. sample size : 20㎜W x 12㎜D x 7㎜
3. Flat Milling Stage
- X movement : 0 to 5㎜
- Tilt : 0 to 90˚
- Sample rotation : ±5