HITACHI
S-8820
10년
주장비
분석
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2019-11-01
280,000,000원
기관의뢰
고정형
건별
200,000원
○ SiC MOSFET등의 소자 제작 공정 중 포토 공정을 진행 후 선폭 확인을 위한 핵심장비로 Wafer 표면에 고집적 미세 회로를 생성하기 위하여 감광액(PR, Photoresist)이 도포된 Wafer에 패턴 형성 후 공정 결과를 확인 하는 장비
○ Wafer 관련
- Wafer Size: 150mm SiC(투명)
- Loading / Unloading: Automation
○ Accelerating Voltage: 0.1~1.3kV
○ Resolution: 5nm at 0.8kV
○ Magnification: × 100 (Optical micorscope)
× 500 ~ 150,000 (SEM mode)
○ Measurement range: 1~10μm
○ Measurement Repeatability: ±1% or 5nm
○ Stage Movement: X=150mm, Y=150mm
○ Throughput: 20 wafers/hr
- 5point/wafer measurement, Continuos operation mode