FRT
Micro Prof 200
10년
주장비
분석
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2019-12-30
173,800,000원
기관의뢰 직접사용
고정형
건별
100,000원
고온 공정으로 인하여 발생하는 SiC Wafer의 Bow 및 Warp등의 특성 측정을 위한 두께(Bow & Warp) 측정기 장비이다. 또한, SiC MOSFET 소자의 제작을 위하여 Backside Grinding 공정을 하게 되는데, SiC Wafer의 두께에 따른 소자의 특성에 영향을 주게 되기 때문에 SiC Wafer의 두께 측정기를 이용하여 Wafer 특성을 측정하는 장치
○ Loading, Unloading을 제외한 Wafer 이동이 Auto로 이루어지는 장비로 본체와 별도의 Main Control PC로 구성되며, 개별 노광을 위한 Reticle을 거치하여 공정을 진행하는 시스템으로 구성
- Wafer Size: 6inch SiC
- Measurement: Non-Contact Capacitance
- Thickness, TTV, Bow, Warp and site and global Flatness
- Thickness: 200~1200μm
- Bow: ±350μm
- Warp: 350μm
- Resolution: 0.05μm