아이씨티
ICT-INLINE 5G
12년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터
2020-01-30
837,121,800원
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
170,000원
ㅇ 대면적(1100㎜×1600㎜) 유리기판 상에 금속 및 산화막 등의 다양한 물질을 스퍼터링 및 PECVD 소스를 이용하여 높은 증착속도로 다층막을 형성할 수 있음
- 자외선 기반 평판형 나노금형 제조: 스퍼터링을 이용하여 0.5t의 유리 기판 상에 구리(Cu) 와 니켈(Ni) 등 두 가지 이상의 금속막을 동시에 증착할 수 있음
- BIPV(Building Integrated Photovoltaics)용 컬러 프론트 클래스 및 반사방지막 제조: SnO2 등 산화물 박막은 반응성 스퍼터링 방식으로 증착하며, SiO2 박막은 PECVD 방식으로 증착할 수 있음
ㅇ 스퍼터링 소스
- 파워: DC 20kW
- Single Magnetron Cathode(2set)
- 증착 물질: Cu, Cr, SnO2
- 증착 속도: 300Å/min(Cu 기준), 100Å/min(SnO2 기준)
- 균일도: ±5%
- 타겟 크기: 1500(L)×125(W)×10㎜T
ㅇ PECVD 소스
- 파워: Biolar Pulse DC 30kW
- Linear Dual Ion Gun type(2gun/1set)
- 증착 물질: SiO2
- 증착 속도: 1000Å/min
- 균일도: ±5%
- Gun 크기: 1500(L)×120(W) - 싱글 기준
ㅇ 진공 모듈
- Leak Rate: 5×10-9 Torr·ℓ/sec
- 한계진공도: 5×10-6 Torr 이하
- 배기시간: 20분 이내(at 8 x 10-5 torr, Entry Chamber 기준)
ㅇ 기판 모듈
- 1100㎜×1600㎜ 이상(대응 기판 크기)
ㅇ 난방 장치 모듈
- 최대 가열 온도: 300℃(온도편차 ±5℃)
- Sheath Heater(3kW급)
- 수량: 2 set