피앤테크
PF-D63
10년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 퍼니스
2019-04-15
449,000,000원
기관의뢰
고정형
시간별
300,000원
○ SiC MOSFET 소자의 스위칭 특성 향상을 위해 폴리실리콘을 사용하여 케이트 전극 형성
○ SiC MOSFET 소자의 유전막, 소자 격리용 등으로 사용하기 위한 산화막 형성
- LP-CVD를 이용하여 HTO 박막 성장
○ SiC MOSFET 금속배선 형성을 위해 금속 증착 후 고온에서 소결하여 폴리사이드(Policide) 형성
○ Furnace Type: Hot Wall Type Horizontal Furnace
○ Batch Size: ~Φ150mm, 25 wafers/batch
○ D-Poly
- Temp : 500°C – 680°C
- Gas System : N2, SiH4, PH3
- Vacuum Pump : Dry
- Thickness Uniformity : < 5%(inwafer / Wafer to Wafer / Run to Run)
○ HTO
- Temp : 800°C – 900°C
- Gas System : N2, SiH4, N2O
- Vacuum Pump : Dry
- Thickness Uniformity : < 5%(inwafer / Wafer to Wafer / Run to Run)
○ Al Sinter
- Temp : 400°C – 500°C
- Gas System : N2, H2
○ Wafer Loader: SEMI Auto
○ Temperature Measurement: Thermocouple
○ Wafer Aligner
○ Temp Recorder : 8Ch 이상
○ Tube/Boat Material: Quartz(6inch)