Gasonics
PEP-3510A
10년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2018-12-27
247,000,000원
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
46,000원
반도체 포토(Photo)공정 및 고온어닐링(High Temperature Annealing) 공정 후에 사용되는 설비로 Plasma 소스를 사용하여 포토공정 후 Wafer 표면에 남아있는 감광액(Photoresist)을 제거하고, 이온 주입된 SiC Wafer의 주입된 이온을 활성화시키기 위하여 고온어니릴링 공정 후에도 탄화된 PR 용액을 제거하는 목적으로 사용되는 장비이다.
○ Loading, Unloading을 제외한 Wafer 이동이 Auto로 이루어지는 장비로 본체와 별도의 Main Control PC로 구성
- Loading/Unloading: 6inch SiC, 1 Cassettes
- Process Robot: Wafer Transfer Robot
- Microwave Generator
- Process Gas: O2(5500sccm), N2(1000sccm)
- Purge Gas: N2(35~45Psi, 71lpm)
- Heating chuck : 50~350℃
- Generator 출력: 300~3000W
- Etch Rate: 50,000Å/min 이상
- Descum rate : 300Å 이상