AMAT
Centura5200
10년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터
2018-12-27
1,144,000,000원
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
150,000원
고진공 Chamber 에 주입된 Ar 및 N2 Gas를 DC (또는 RF) Power Source를 통해 이온화 시켜 PLASMA를 형성하고 AR+ 이온은 CATHODE 쪽으로 가속되어 TARGET(증착하고자하는 박막과 동일한 재료 AL, Ti, TiN...등등)에 충돌하여 TARGET으로부터 입자를 물리적으로 이탈시켜 Wafer 표면에 금속 박막을 증착(AL, Ti, TiN 등..) 시키는 용도이며, 이러한 방법을 스퍼터(Sputter)라 한다.
○ Wafer 관련
- Wafer size: 150mm
- Wafer thickness: 350±20㎛
- Wafer warp: >50㎛
- Loading / Unloading: Automation
○ System 관련
- Cluster type sputter
- 3-Phase Cryo pump
- Main chamber, Loadlock, Transfer robot, Ion gauge, Compressr, etc.
○ Deposition 관련
- Deposition rate: 1㎛/min(Al)
- Thickness uniformity: ≤±3%
○ Substrate heating 관련
- Substrate heating temperature: max. 300℃ (Al, TiN)
○ Process gas 관련
- Ar, N2