TYK
Ailesic-1500
10년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 퍼니스
2018-12-27
945,000,000원
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
200,000원
고온(1500℃) 분위기에서 건식 산화공정과 NO/N2O 가스를 이용한 산질화 공정 및 N2/Ar을 이용한 고온어닐링 공정에 사용된다.
기존의 산화막 성장 공정은 성장 후에 NO 또는 N2O gas 분위기에서 열처리 공정을 거쳐 표면 DiT를 줄이는 2-step 공정을 사용하지만, 약 1,500℃의 고온에서는 SiC 기판에 NO 및 N2O gas를 사용하여 Direct growth 방식의 1-step 공정으로 양질의 산화막을 얻고자 함
○ Operational Temperature: 700~1500℃(Max1550℃)
○ Heating Rate: ≦20℃/min
○ Batch Size: ~Φ150mm, 25 wafers/batch
○ Furnace Type: Hot Wall Type Vertical Furnace
○ Flat Zone Length: 250mm@Operational Temp.±1.0℃
○ Wafer Loader: Scalar Type Single Arm Robot
○ Particle: Increase less than 10 (Size: ≧0.2㎛)
○ SiO2 Film Thickness Uniformity
Within Wafer: ≦±1%
Within Batch: ≦±2%
Between Batches: ≦±3%
Metal Contamination: 〈1.0E+11 atoms/cm2
○ Temperature Measurement: Thermocouple
○ Tube/Boat Material: All CVD SiC
○ N2O gas로 Direct growth방식으로 질화 처리된 산화막을 형성