SAMCO
RIE-800iPC
10년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2018-12-27
828,000,000원
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
220,000원
유도결합플라즈마를 이용한 드라이 에칭 장비는 탄화규소(SiC) Trench가공 전용 장비이다. 이 장비는 탄화규소 Trench 에칭의 결과를 양호하게 하기 위해서는 효율적으로 고주파 전원의 도입이 이루어져있으며 이를 위해서 코일 디자인이 적절하게되어있다
생산용 장비로서 카세트 처리가 가능 하며 Recipe 편집 및 Data관리도 PC로 지원 가능하다.
SiC Trench 1.5μm 식각 기준(Pattern 선폭은 1~1.5μm)으로 SiC 식각 속도는 0.4μm/min, SiC와 산화막과의 식각 선택비는 3.5:1 이상(Wafer내 평균값) 및 SiC Trench Side Wall Profile는 88° 이상(단, SiO2 Hard Mask의 Side Wall Profile이 87° 이상을 만족할 경우, Wafer내 평균값), 식각 Uniformity 차이는 ±5% 이내이다
○ Transfer chamber : Vacuum robot
1 Loadlock, 25 Slot cassette
○ Process chamber : ICP plasma source
Gas injection : Shower head, EPD(End Point Detector)
○ RF(Radio frequency) Generator
ICP: 13.56MHz, Max. 3kW, Substrate: 13.56 MHz, Max. 1.5kW
○ Matching Unit(ICP, Substrate): full automatic matching
○ Vacuum system Process Chamber
Turbo molecular pump >1400 ℓ/sec total 2sets
Vacuum dry pump for PM >1600 ℓ/min
○ Gas Delivery Unit
SiC Chamber : 5 gases (SF6, He, O2, Ar, CF4)
Oxide Chamber : 6 gases (CF4, H2, CHF3, C4F8, O2, Ar)
○ SiC Etcher - Oxide Mask
Etching Rate: 0.4㎛/min, Profile: 88deg
No micro-trenching, No Side Striation
Width:0.8 ㎛ & Depth:1.5 ㎛, Open Area : 30% 이상 시
○ Doped-Poly
Etching Rate: 0.2㎛/min, Profile: 88deg
P.R Selectivity: > 2.0(Open Area : 70% 이상 시)
○ Oxide Etcher
Etching Rate: 0.5㎛/min, Profile: 86deg
P.R Selectivity : > 3