알박
IH-860PSIC
10년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 이온주입장치
2019-04-25
2,780,000,000원
기관의뢰 직접사용
고정형
건별
1,000,000원
○ 파워반도체 SiC 소자의 Junction을 형성하기 위한 이온주입 장비 (기판온도는 500℃로 유지)
- 파워반도체 SiC 소자용 가속에너지 40∼600keV급 이온주입 공정
- 파워반도체 SiC 소자 다중 에너지 연속 주입공정(Box Profile)
- P- Well, N+ Source, P+ Guard Ring의 Junction 형성
- 파워반도체 SiC wafer Trench내 이온주입
○ SiC에 불순물을 도핑
- N Type: P. N, As 중 사용가능
- P Type: Al, B 중 사용가능
○ High Temperature Implantation: 500℃ with Hot plate
○ Beam Energy
~ 400keV @single charge
~ 800keV @double charge
~ 1,200keV @triple charge