제이하라
JICP-RM300
9년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2018-10-19
98,450,680원
기관의뢰
고정형
시간별
100,000원
300mm Wafer용 Planar type의 ICP(Inductively Coupled Plasma) antenna를 이용한 공정 장비는 프로세스 챔버, 로드락 챔버, 가스 전달 시스템, 자동 압력조절기, Source RF 파워 & 매칭네트워크, 300mm ESC, Bias RF 파워& 매칭네트워크, 고진공 터보펌프, 저진공 드라이펌프, 건식 가스 스크러버, 2Ch Chiller 로 구성되어 있음.
- 13.56MHz RF ICP 2000W
- 13.56MHz RF Bias 1000W
- 5 mTorr 이상, 500mTorr 이하
- CF4, SF6, BCl3, Ar, O2 등