Centrotherm
c.LAB E 2.000-320-4(2)
9년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 플라즈마기상화학증착장비
2017-10-27
674,794,960원
원
○ 해당 장비는 결정질 실리콘 태양전지의 핵심 공정인 p-n접합 형성과 반사방지막 공정을 지원하는 것으로 고효율·고품질 결정질 실리콘 태양전지 제조를 위한 핵심 장비임.
○ POCl3 소스를 이용한 고면저항 형성이 가능하며, 반사방지막을 위해서 실리콘 질화막뿐만 아니라 SiON 증착도 가능하여 태양전지 제조를 위한 원천기술 확보 및 고효율 태양전지 제조가 가능하도록 함.
- POCl3 도핑 퍼니스
○ 증착법 : 저압 화학기상증착법을 이용하거나 Cl계열의 화합물을 사용하여 상압 화학기상 장치를 사용
○ heater zone : 5개 이상
○ heater temperature : 600 - 1200 ℃
○ process temperature : 700 - 1000 ℃
○ landing type : 소프트랜딩
- SiNx/SiON/SiOx 플라즈마 화학기상증착장비
○ throughput : 배치당 144장 이상, 6인치 태양전지 웨이퍼
○ heater zone : 5개 이상
○ heater temperature : 100 - 600 ℃
○ process temperature : 300 - 500 ℃