마이다스시스템 주식회사
MDA-400S
10년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 리소그래픽장비
2017-07-21
56,670,250원
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
21,000원
ㅇ 반도체, 디스플레이 공정 중에서 포토 리소그래피 공정을 수행하는 시스템으로서 웨이퍼나 유리판의 기판위에 미세 패턴을 형성 시키는 것을 목적으로 한다.
ㅇ 기판위에 감광 물질을 도포 한 후 패턴의 원판 역할을 하는 마스크를 이용하여 빛을 투과 시키고, 박막 증착 및 식각공정으로 최종 원하는 패턴을 구현한다.
포토리소그래피 공정의 핵심을 담당하는 마스크 얼라이너는 미세 회로를 구현하기 위해 균일도가 높은 자외선 광원을 사용해야 하며, 공정이 다층으로 이루어지므로 정밀한 정렬과 레벨링 등의 첨단 기술이 필요한 시스템이다.
① 광원부
- 램프 타입 : 350W 수은 머큐리 숏 아크 램프
- 파장 : 350nm - 450nm (필터 장착 가능)
- 최대 자외선 노광 영역 : 6.25 in. x 6.25in.
- 365nm 빛 강도 : > 최대 25 mW/cm2
- 자외선 노광 균일도 : <±3%
② 마이크로 스코프
- 듀얼 CCD 줌 마이크로스코프
- 샘플 로딩부 축 이동 : 양쪽 축 X, Y, Z
- 마스크 및 광원부 여유공간 : 60 ~ 100mm
- 축의 움직임 범위 : Y 축 ± 20 mm
- 19” LCD 모니터
- 배율 : 76x ~ 485x
- 마스크 및 마이크로스코프 거리 : 86 mm / 32 mm
③ 스테이지 및 제어부
- PC 컨트롤 시스템 (소프트웨어 포함)
- 노광 시간 : 0.1sec to 6000sec
- 스테이지 이동 : X, Y, Z and 회전축
X, Y : 10 mm, Z 운동범위 : 10 mm, 회전축 : ±4°
- 컨텍 및 노광 모드 : 진공, 하드, 소프트 컨텍 모드 & 근접 모드(간격 제어 모드)
진공 & 하드 접촉 (강제 제어 모드)
- 정렬 오차 : <±1.0 마이크로
- 진공 / 압축 공기 제어 : 시편부, 마스크, 척 잠금 & 마스크 및 웨이퍼 접촉
④ 해상도
- 진공 접촉 : 1um < 얇은 감광막(1um두께) - 실리콘 웨이퍼 샘플
- 하드 (압박) 접촉 : 2um
- 소프트 접촉 : 3um
- 20um 근접모드 : 5um
⑤ 제진대
- 격리 규격 : 1000 x 1000 x 20t
- 높이 : 750 mm (바닥 - 상부까지)
- 수평화: 3- 포인트 자동 수평 시스템 적용
- 자연주파수 : 수직 : 1.2 ~ 1.5 Hz , 수평 : 1.5 ~ 1.8Hz
- 사각 암 레스트 부착
- 언더 쉘프 부착
- 공압 : >5kgf/㎠
⑥ 유틸리티 훅 업
- 전기 용량 : 220VAC / 15A / 단상 및 그라운드 구비된 분전반 설치 및 전기 공사
- 질소 : >40 psi ㎏/㎠ ), 6 mm 튜브(PU), 레귤레이터 설치
- 공압 : >85.5 psi (Over 6 ㎏/㎠) , 6mm 튜브 (PU), 레귤레이터 설치
- 진공 : < -200 mbar, 레귤레이터 설치 및 보완 가능한 진공 펌프