지브이텍
1
12년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 플라즈마기상화학증착장비
2014-05-30
310,518,260원
고정형
시간별
100,000원
수소아르곤 플라즈마를 이용한 다양한 화학 조성비를 갖춘 박막 합성용 플라즈마 화학기상 증착 장비로서 6인치 기판에서 박막 불균일도가 1%이내가 되도록 장비를 구성하였으며 substrate heater의 온도는 최대 900도이며 불균일도가 1%내외가 되도록 구성된 장비임.
1) 공정 챔버
- 챔버 재질 : SUS
- 챔버 포트 : View 포트 (셔터 포함) 게이지 포트 가스 주입 포트 - 증착 방지용 클리닝 커버 포함
- Base pressure : 9.0 x 10e-8 torr (시스템 구동후 1시간 이내)
2) 샤워 헤드
- 2단계(2-stage) 샤워 헤드
- RF 절연 블록 재질 : Ceramic
3) 기판용 척
① 히팅 척
- 히터 타입 : Molded 히터
- 최대 온도 : 800℃ (기판온도 기준)
- 기판 크기 및 개수 : 6인치 1장
- RF 절연 블록 재질 : PEEK
2. RF 전원공급 장치
1) RF 전원 발생기
- 출력 전력 : 3kW
- 출력 주파수 : 13.56MHz ± 0.005%
2) RF 매칭 네트웍
- 구동 방식 : 자동
- 주파수 : 13.56MHz
3. 진공 모듈
1) 진공 펌프
- 터보 펌프 : 펌핑속도 2300L/sec
- 최저 진공도 : 5×10-3 Torr 이하
- 드라이 펌프 : 펌핑속도 1200M^3/hour
- 최저 진공도 : 5×10-3 Torr 이하
2) 자동 압력 조절기
- Electrical Throttle 밸브
- APC (Auto Pressure Controller)
- Baratron 게이지 : 최대범위 0.1Torr - Baratron 게이지 보호용 밸브
3) 압력 게이지
- 고진공용 게이지 : Ion 게이지 : Cold cathode with controller 1set
- 저진공용 게이지 : Convectron 게이지 2set
- 게이지 컨트롤러 및 전용 케이블
- 대기압(ATM) 스위치
4) 진공 밸브
- 공압 구동형 Angle 밸브
5) 진공 배관
- 스테인리스스틸 hard 배관 및 flexible 벨로우즈 배관
4. 가스 공급 모듈
1) 공정 가스 종류 및 유량 조절 방법 - 공정 가스 : AR MFC 1개 H2 MFC 1개SiH4 MFC 1개 PH3 MFC 1개 NH3 MFC 1개 N2O MFC 1개
- Purge & Vent : N2 Metering 밸브 1개