(주)브이티에스
Rapid thermal annealing system (VS 13051R0)
9년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2015-01-28
50,000,000원
고정형
기타
20,000원
- 장비는 고진공 대면적 열처리 시스템으로써 열처리 과정에서 산소와 민감하게 반응하는 물질을 합성하는데 용이하며 100mm×100mm의 대면적 샘플의 열처리가 가능함. 또한, 열처리 공정조건의 가장 중요한 부분인 가스유량, 온도, 압력등ㄹ을 정밀하게 컨트롤이 가능하며 완벽한 진공상태를 유지 가능하여 재현성있는 실험을 진행할 수 있음.
- 5×10-5mtorr이하의 고진공 상태를 유지하고 외부에서 들어오는 공기를 완벽하게 차단이 가능함.
- 열처리에 사용되는 heater는 halogen lamp를 사용하였으며 상·하부 동일한 온도 컨트롤을 통하여 균일한 박막 형성.
◦ Chamber system
- 1 chamber를 선택.
- chamber 재질 : 전해연마 처리한 Stainless steel.
- Camber의 상⋅하에 Halogen lamp heater 설치 및 Water cooling type 선정
- Camber 중안부분에 기판을 올려놓을 수 있는 틀을 제작하여 상⋅하 균일한
온도 전달
- 3개의 Thermocouple를 이용하여 상, 하, 중앙 부분 온도를 균일하게 제어 가능
- Pump equipment for short pump down with TMP
- Chamber body spec. : Pumping time – 5 x 10-5 torr 까지 30분 이내 가능,
Ultimate pressure : Less than 5x10-6Torr 가능.
◦ Vacuum system
- Turbo molecul ar pump 1set : Pumping speed : 600L/s – Water
cooling type 선정
- Rotary pump 1set : Pumping speed : 400L/s [60Hz] - Throttle valve를 설치
하여 진공도 유지 및 컨트롤
- Vacuum Gauge units : Pirani gauge, Ion gauge, Gauge controller 고진공
압력 컨트롤 가능
- Gas supply units : N2, H2S MFC를 이용하여 소량의 가스 컨트롤이 가능하며 최대
1000 sccm 유량 제어가능.
◦ Heating system
- Substrate : 100 x 100 mm 의 크기를 선정하여 대면적 열처리 가능.
- Heater : Halogen lamp heater를 선정, 최대 1000℃까지 안정성을 갖도록 선정
- 열처리시 허용 오차 온도는 ± 2℃로 제어, 상하 균일한 열처리를 위해 Substrate lift module 선정
◦ System control unit
- Automatic control methode : PLC based PC control
- Digital I/O module, Analog I/O module Personal computer를 이용하여
정밀 제어 가능
- Interlock for safety, Standalone recipe program supplied를 선택하여
안정성 및 유지보수 원활