(주)크레젠
Ion Beam Etching System
10년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2004-02-01
63,500,000원
고정형
기타
0원
금속, 산화막 식각
- Process chamber Vacuum
: Ultimate pressure <3.0E-7 (within 24 in after target change)
: Process pressure : 1~5.0E-4
- 4 inch wafer or 8 inch wafer
- Ion Source : 12 cm RF source (1500 eV, 500mA)