Surface Technology Systems Ltd
AOE_HR
10년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2004-04-01
448,577,567원
고정형
기타
0원
MEMS 용 미세구조물 형성, 산화막 , 질화막 에칭
- Mask material : silicon(>2um)
- Etch Depth : <10um
- Wafer Size / Material : Up to 100mm Si
- Etch Rate : > 0.25 um/min
- Uniformity : < ± 5%
- Repeatability : < ± 3%
- Selectivity over Mask : > 15 : 1
- Profile Control > 89 deg
- Max. Aspect Ratio : < 5:1
- Sidewall Roughness < 100nm