Hitachi
FB-2100
10년
주장비
분석
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 이온주입장치
2009-02-26
40,400,000원
고정형
시간별
120,000원
SB-FIB System 이온빔 구성 FIB System에서 사용되어지는 ion source는 Ga으로 쌓여진 바늘 모양의 tip형태를 하고 있다. 이와 같은 Ga Ion Source를 LMIS 즉 Liquid Metal Ion Source라고 부르는데 이는 수은과 같이 상온에서 쉽게 액상이 되는 Ga의 특성 때문이다. 일반적으로ion source에는 30 ~50kV 의 전압이 인가되며 Ion source와 Extractor 전극 사이의 전위 차이로 인하여 이온화된 후 방출되는데 이것을 ion emission effect라고 한다
* 이온 광학계
- 가속전압 : 10kV ~ 40kV
- 최대빔 전류 : 60nA@40kV
- 분 해 능 : 6.0nm@40kV
- Micro sampling system for in-situ TEM lift-out
- 증착Gas : W
- Eucentric Auto-stage(2types) Side Entry stage(3types) SEM STEM 장비와 홀더호환