RF Bias Magnetron Sputter
비교적 낮은 진공도에서 플라즈마를 발생시켜 이온화한 아르곤 등의 가스를 가속하여 타켓에 충돌시켜 목적의 원자를 분출, 그 근방에 있는 기판상에 막을 만드는 방법을 사용하며 타켓 뒤에 마그네틱을 사용하여 사용된 것보다 100배 정도로 크게 사용할 수 있다. 반응성 가스를 이용하면 가스와의 반응물의 막 형성(반응 스퍼터링)도 가능함.