Engis
Engis-04
10년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2005-04-10
58,520,000원
직접사용
고정형
건별
500,000원
적용가능 기판크기 : 2 인치, 4 인치 wafer 적용 기판 종류 : GaAs, Si, LiNbO3, LiTaO3, Quartz, InP... Single Wafer 처리방식 : with a uniform, high latitude process Low cost of ownership through nMP recirculation and metal reclaim - 25ml nMP consumption per 150 wafer - 1.5 square meter footprint - 30 wafers per hour Lift-off Process Station - Speed 0~3000 rpm - Acceleration 614~5000 rpm/sec - Speed in steps of 1 rpm, Speed accuracy, 1 rpm 이내 Rinse Process Station - Speed 0~6000 rpm - Acceleration 614~20000 rpm/sec - Speed in steps of 1 rpm , Speed accuracy, 1 rpm 이내
ㅇ적용가능 기판크기 : 조각~4“ ㅇ적용가능 기판 : InP, GaAs, Si 등 ㅇ주요제원 - Lapping plate speed : 5~60rpm - Lapping plate size : 380mm - Time control : 1~10hr. - Integral vacuum system - Swinging or Oscillation of lap. jig - Slurry agitating of abrasive auto-feeding - Max. sample diameter : 4“ - Outside dia. : 152mm ㅇ공정 - LD/PD 소자제작에서 배면연마 공정 중 Lapping 연마공정 수행 - InP wafer lapping rate : 10㎛~25㎛/min (±3% at 4“ wafer)