Takeuchi
TA-SUB1
11년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 달리 분류되지 않는 기계가공 시험장비 >
2014-10-31
552,000,000원
원
○ LED/LD 및 에너지 반도체용 소자구현을 위한 기판소재인 고품질 SiC 단결정 성장 연구개발에 필요한 장비임.
○ SiC 단결정 성장장비는 단결정 성장 실험을 위한 기초적인 장비이며, 4차년도 ~ 9차년도 사업 기간에 걸쳐서 활용 가능한 장비임.
Reactor: Quartz Tube, Handling system
Heating System:
- Max. Working Temp: 2300°C 이상
- RF Generator: 50~80 kW
- 주파수 8~10 kHz
Vacuum system
-Vacuum degree: 1.33 x 10-4 Pa