퓨텍 Furnace
없음
10년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2010-05-25
1,947,300,000원
고정형
일별
0원
- 세라믹이나 흑연모재에 고순도 SiC 코팅막을 형성하는 장치로
AP/LP CVD 방법으로 SiC 코팅막 형성
- 고온진공로 + MST가스 공급 시스템 + 배기가스 처리 스크러버가 부착됨
○ 성능
- 유효증착영역 : Φ800mm X H 1400mm
- 사용온도 : 최대 1800 ℃
- 승온속도 ; 10℃/min
- 공정가스 ; MTS(CH3SiCl3), H2, Ar, N2, CH4
- 원료가스 공급방식 : Liquid(MTS) Vaporizer System (MTS 200g/min 공급, 2set)
- 공정압력 범위 : 1 ~ 760 torr
- 진공배기능력 : 30분 이내에 5x10-3torr까지 도달
작업압력 1 torr까지 제어
- 피처리물 적재량 : 최대 300kg