㈜에스엔텍
CSD-5000 series
5년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2012-06-26
404,420,000원
고정형
84,254원
○ 주요사양(1) 공통사양 -기판의 종류 : Si Wafer & Glass -기판사이즈 : 4 inch Si Wafer & 50X50mm2 (Glass) -Signal Tower : 3 Colors (R, G, B) -메인 전기용량 : 3Φ, 220V 150A 60Hz -접지사양 :Class A [10ohm or Below] -냉각수 사양 : 2~3 Kg/Cm2, 30 L/Min -공압 사양 : 6~7 Kg/Cm2(2) Loadlock Chamber -기판사이즈 : 4 inch Si Wafer & 50X50mm2 (Glass) -챔버형태 : 사가 -기판장착 수량 : 1 ea -챔버사이즈 : 150(W) × 150(L) × 200(H) -챔버재질 : Aluminum -저진공펌프사양 (로타리펌프) : 800 L/Min, Jeil Vacuum -저진공게이지 (피라니게이지) :ATM~10-4 Torr -진공밸브 및 라인 :NW25 Size, 공압(3) Transfer Chamber -기판사이즈:4 inch Si Wafer & 50X50mm2 (Glass) -챔버형태:원형, 6개 Port 구성 -기판이송로봇:진공 및 싱글타입, RT 모션동작 -기판위치감지 :센서를 이용한 자동위치 감지 -기판이송 :기판이송로봇을 통한 진공중 이송 -챔버사이즈 :약, 1200mm pi × 400(H) -챔버재질 :SUS304 -게이트밸브(Isolation Valve) :사각타입, 공압 사이즈 : 8 inch X 2 inch -저진공펌프 (로타리펌프) :800 L/Min, Jeil Vacuum -고진공펌프 (터보펌프) :800 L/sec -진공밸브 및 펌핑라인 :M.V : ISO160 R.V & F.V : NW40 -진공게이지 :ATM~10-9Torr Coldcathode Gauge, Pirnai Gauge 로 구성(4) Sputter Chamber -기판사이즈 :4 inch Si Wafer & 50X50mm2 (Glass) -시스템컨셉 :동시증착(Co-Sputter) 및 다중증착 (Multi Sputter) 가능하게 구성 -스퍼터건 및 파워(Cahode & Power) : 타겟 물질 :TCO (ITO, AZO, GZO 외) RF 파워 & Matcher :600W, 2set -진공게이지 :저진공게이지(760 Torr ~ 10-4 Torr) 고진공게이지(10-4 Torr ~ 10-9 Torr) 공정용 게이지(Pressure range : 0.1 Torr Resolution : 0.001% F.S Accuracy : 0.15% Temperature coefficient : 0.005% F.S/℃ Ambient operation temperature : 15℃ ~ 40℃ -MFC : Full Scale Range (N2 Equivalent) Ar : 100sccm , O2 : 10sccm, N2 : 50sccm 정밀도 : ≤ ±1% of set point -압력조절밸브 :Type : 자동압력조절밸브 제어정밀도 : ≤ ±2% of setpoint 속도(Open to close) : ≤ 7.5 sec 진공 누설도 (외부 샤프트기준) : 1 × 10-8 scc/sec He 밸브 구성재질 : 304 S.S., Viton -기판 회전 및 상하동작 유닛 : 회전속도 : 5~20 RPM 상/하 움직임거리 : 0 ~ 50mm -기판 히팅유닛 :히터유닛 : 4" size SiC Heater 히터 최대온도 : 600℃ on Substrate 기판온도 균일도 : ≤ ±5% @ set point
○ 특징 (1) 본 시스템은 박막태양전지용 투명전극 (ITO, ZnO:Al, ZnO:Ga, etc)을 Cluster 형태로 구성하여 진공중에 연속적으로 진행할 수 있는 시스템이다. (2) Loadlock 챔버, Transfer 챔버 및 Sputter 공정챔버로 구성이 된다. (3) 기판사이즈는 4inch size 의 Si Wafer 및 50mmX50mm size 의 Glass 가 호환되도록 구성이 되어야 한다. (4) Sputter 챔버에는 Ellipsometer 가 장착되어야 하며, Sputter 공정 중 Ellipsometer 를 이용하여, 박막의 두께 및 굴절률의 특성변화를 실시간으로 측정,분석이 가능하여야 한다. (5) 시스템은 PLC 및 PC 를 이용한 자동공정으로 구성이 되어야 하며, 공정 Factor (Power, Pressure, Flow rate, Heater Temp. 등)가 실시간으로 Display 되어야 하며, 자동 저장이 되어야 한다.○ 구성 및 성능 (1) 이송 모듈 : Loadlock 챔버 및 Transfer 챔버 (2) 공정 챔버 : Ellipsometer 가 장착된 스퍼터챔버 (3) 전기 및 제어장치부