올포 시스템
ICP RIE
11년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2012-05-21
126,000,000원
고정형
기타
원
다양한 gas Source의 플라즈마를 이용하여 시편의 표면을 에칭하는 장비
Process chamber와 Plasma source로 구성되어 있으며, <5% 수준의 Plasma uniformity와 >109/cm3의 Plasma density, 1~3eV의 Electron temperature로 공정 가능,