대기하이텍
3 Targets
5년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 성형/가공장비 > 표면가공기
2006-06-07
273,340,000원
기관의뢰
고정형
시간별
56,946원
1. This System is equipment for fabrication of thin film (zine oxide, Ti oxide, ITO etc) by RF, DC source Sputtering2. Ultimate Vacuum Pressure - Less than 1x10-8 Torr3. Deposition Uniformity: ±1%4. Working Pressure: 10-3 Torr5. Chamber Wall electro polishing
Sputtering이란 이온이나 플라즈마를 어떠한 물질에 강하게 충돌시켰을 때, 그 물질의 원자가 튀어나오는 현상으로 에칭이나 기판위에 물질을 코팅할 수 있다. 에칭은 sputtering 현상을 이용하여 물질을 깎아내는 것이고, 코팅은 플라즈마(Plasma)상태에서 이온화된 양이온 가스(Ar+)가 target에 강하게 충돌하여 momentum transfer에 의한 target 물질이 기판 위에 증착되는 방법이다. Target 쪽에 자기장을 인가하면 증발이 촉진되어 증착속도가 증가한다. 박막 태양전지는 여러 원소로 이루어진 박막들이 유리기판위에 적층되는 구조로 5개 이상의 단위 박막을 순차적으로 적층하여 형성한다. 특히 광흡수층은 다원화합물로 구성되기 때문에 제조공정이 매우 까다로우며, 이를 해결하기 위한 물리적인 박막제조법 중에서 sputtering 공정이 활용된다. 또한, 태양전지 분야에서 ITO와 같은 대형 투명 전도막, AZO(Aluminum doped Zinc Oxide)박막의 제조 등은 화학 기상 증착법(CVD), 열분무 코팅법, 진공증착 그리고 sputtering 방법 등과 같은 여러 가지 방법으로 제작할 수 있는데, 최적의 제조기술은 반응성 sputtering 기술로 본 장비는 이에 폭넓은 활용이 가능하다.