큐로스
Plus 200
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2006-07-17
580,000,000원
고정형
건별
120,000원
특징 - 8 inch wafer - Uniformity in thickness : within 2% for 8 inch wafer - Substrate temperature : up to 700도 - 3개 이상의 precursor 동시 사용 가능 특징 : 약 100도의 온도 및 저압 분위기에서 반응 Gas는 기판 위에서 화학반응을 하여 원자층단위로 증착된다. 이로인해 고품질, High Step Coverage의 박막을 성장시킬 수 있다. 또한 한 층 단위로 공정이 진행되기 때문에 박막의 두께조절이 수월하고 신뢰성이 높다. 구성: Process Chamber, Stage Heater, RF Generator, Vacuum Gauge & Controller, Gas Delivery System, Control PC. 성능: 박막의 두께 균일도 ±3%(1sigma) 이하의 높은 수준의 막질형성. 응용 예 : 고품질의 막질을 요구하는 매우 얇고 균일한 Metal Gate용 대면적 박막형성을 위한 Ru, Ir, TaN 박막 증착 또는 단차가 존재하는 표면에 두께가 Uniform한 금속박막 증착. 활용분야 실리콘 위의 박막의 적층
HfO2, Al2O3 원자층 금속증착