QUROS
Plus 200
10년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2006-07-17
274,450,000원
고정형
건별
120,000원
특징
- 8 inch wafer - Uniformity in thickness : within 2% for 8 inch wafer - Substrate temperature : up to 700도 - 3개 이상의 precursor 동시 사용 가능
특징 : 약 100도의 온도 및 저압 분위기에서 반응 Gas는 기판 위에서 화학반응을 하여 원자층단위로 증착된다. 이로인해 고품질, High Step Coverage의 박막을 성장시킬 수 있다. 또한 한 층 단위로 공정이 진행되기 때문에 박막의 두께조절이 수월하고 신뢰성이 높다.
구성: Process Chamber, Stage Heater, RF Generator, Vacuum Gauge & Controller, Gas Delivery System, Control PC.
성능: 박막의 두께 균일도 ±3%(1sigma) 이하의 높은 수준의 막질형성.
응용 예 : 고품질의 막질을 요구하는 매우 얇고 균일한 Metal Gate용 대면적 박막형성을 위한 Ru, Ir, TaN 박막 증착 또는 단차가 존재하는 표면에 두께가 Uniform한 금속박막 증착.
활용분야
실리콘 위의 박막의 적층
구성: Process Chamber Stage Heater RF Generator Vacuum Gauge & Controller Gas Delivery System Control PC.
성능: 박막의 두께 균일도 ±3%(1sigma) 이하의 높은 수준의 막질형성.