Unaxis
SLR730
10년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2005-10-27
414,387,301원
직접사용
고정형
시간별
172,661원
플라즈마를 이용하여 웨이퍼 표면에 CVD 기법으로 SiO2 및 SiN 증착하는장비로 SF6, SiH4, NH3,N2 가스를 이용함.
히터블록에 챔버당 3개씩 있어서 균일한 온도를 유지해줌
장비 특징 :적용가능 기판크기 : 2인치 - 6인치 SiO2 증착 (1) Deposition rate : 300A/min 이상 증착 (2) Refractive index : 1.46이상, 1.49 이하 (3) Stress : 1x109dyne/cm2 이하 SiNx 증착 (1) Deposition rate : 100A/min 이상 증착 (2) Refractive index : 1.95이상, 2.05이하 (3) Stress : 3x109dyne/cm2 이하 공정 가스 : NH3, N2, SiH4, N2O, He, SF6 Dual & Load Lock Chamber System