oxford
ICP380
10년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2005-04-29
165,000,000원
직접사용
고정형
시간별
68,750원
ICP,RIE 장비에 사용되는 프로세스 가스의 정밀한 유량을 체크 및 공급해주는 가스 공급 장치로 MFC(mass flow controller)가 내장되있음. 리크로 인한 안전장치로 후드가 장착되있음
적용가능 기판크기 : 10mm×10mm 조각 ~ 6인치 full wafer적용가능 기판 : GaN template, Sapphire wafer 식각 능력 : 1 wafer/batchPlasma power : ~ 5kW식각 깊이 - GaN template wafer (within 2μm) - Sapphire wafer (within 2μm)식각 속도 - GaN template wafer (500nm/min) - Sapphire wafer (70nm/min) 식각 각(angle) : 45° ~ 90° 가능함. 식각용 Mask : Photoresist, Metal(Cr, Ni etc)Helium cool down to wafer적용가능 Gas : Ar, Cl2, BCl3, HBr, N2, SF6, O2 적용가능 기판크기 : 10mm×10mm 조각 ~ 6인치 full wafer적용가능 기판 : GaN template, Sapphire wafer 식각 능력 : 1 wafer/batchPlasma power : ~ 5kW 식각 깊이 - GaN template wafer (within 2μm) - Sapphire wafer (within 2μm)식각 속도 - GaN template wafer (500nm/min) - Sapphire wafer (70nm/min)식각 각(angle) : 45° ~ 90° 가능함.식각용 Mask : Photoresist, Metal(Cr, Ni etc) Helium cool down to wafer적용가능 Gas : Ar, Cl2, BCl3, HBr, N2, SF6, O2