Aixtron
AIX/200
10년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2005-03-30
899,372,155원
기관의뢰
고정형
시간별
270,000원
적용가능 기판크기 : 2인치 wafer 3장
Reactor 형태 : Horizontal Quartz reactor
Susceptor : Graphite susceptor
Glove box : Achievable gas purity 1 ppm H2O and O2
Rotation wafer : 1 satellite disk, 1 susceptor controlled with H2
MO-source line : TMGa, TMAl, TMIn,
Hydride line : AsH3, PH3,
Dopant line : Si2H6, DeZn, Cp2Fe
Bath for MO source : Over temp. protection (-10~30℃)
안전시스템 : Interlock system
- Power, Low gas pressure, Pneumatic air pressure,
- Low Cool water pressure, Over pressure at vacuum
- 유독가스 감지시스템 : H2, AsH3, PH3
◦ 제작사 : AIXTRON
◦ 모델명 : AIX 200/4 RF
◦ 구매일자 (내용연수) : 2004.12.28
◦ 기 구축된 장비사양
- 적용가능 기판크기 : 2인치 wafer 3장
- Reactor 형태 : Horizontal Quartz reactor
- Susceptor : Graphite susceptor
- Glove box : Achievable gas purity 1 ppm H2O and O2
- Rotation wafer : 1 satellite disk, 1 susceptor controlled with H2
- MO-source line : TMGa, TMAl, TMIn,
- Hydride line : AsH3, PH3,
- Dopant line : Si2H6, DeZn, Cp2Fe
- Bath for MO source : Over temp. protection (-10 ∼ 30℃)
- 안전시스템 : Interlock system
․ Power, Low gas pressure, Pneumatic air pressure,
․ Low Cool water pressure, Over pressure at vacuum
․ 유독가스 감지시스템 : H2, AsH3, PH3